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不畏半導體景氣修正,南韓電子業巨擘三星逆勢大擴產,鎖定先進製程晶圓代工與記憶體,急追台積電(2330),同時也恐打亂記憶體市場復甦腳步,牽動南亞科、華邦等台廠後市。

法人指出,台積電、英特爾、SK海力士、美光、南亞科等國際半導體大廠因應市況調整,已陸續下修資本支出,三星卻逆勢操作,不僅記憶體擴產不踩剎車,晶圓代工也因基期低而大舉在南韓與美國擴產,牽動全球半導體產業發展。

彭博資訊引述首爾經濟日報報導,三星位於南韓平澤的P3廠將擴增DRAM設備,每月可生產7萬片的12吋晶圓,高於目前P3廠DRAM產線的每月2萬片產能。三星將使用新的設備生產12奈米DRAM,截至第3季,三星每月的DRAM晶圓總產量為66.5萬片,以增產7萬片計算,增幅達10.5%,手筆不小。

另一方面,報導指出,三星也規劃將P3廠每月晶圓代工產量提高3萬片,並增加4奈米產能,強攻先進製程。截至第3季,三星的每月晶圓代工總產量為47.6萬片,換算增幅約6.3%。因應記憶體與晶圓代工先進新產能需求,三星將新增至少10台極紫外光設備(EUV),目前三星已有約40台EUV,換算將增加25%。

業界認為,三星晶圓代工因產能約五成自用與約五成對外接單而呈現供不應求,其4奈米製程已在本季陸續擴產到位。即便三星在先進製程產能規模仍僅約龍頭台積電的五分之一,但三星展現強烈企圖心追趕台積電。

南韓媒體infostockdaily報導,三星晶圓代工4奈米製程先前已將良率提升至近約六成,隨客戶需求提升而決議擴充,相關投資挹注下,三星晶圓代工在4奈米投資將達約5兆韓元(約新台幣1,140億元)。

記憶體方面,受智慧手機、PC等需求疲軟衝擊,DRAM和儲存型快閃記憶體(NAND Flash)價格持續走跌,儘管其他原廠和台廠都祭出減產和縮減資本支出的策略,但業界龍頭三星始終逆勢運作,雖然有助於三星本身規模擴張,但對整體記憶體市場而言並非好事,不僅會拖延庫存去化的時間,也會使得相關同業營運更具壓力。

市調機構Omdia統計,三星在全球DRAM市場市占率節節攀升,從2021年第4季的41.9%,今年第2季擴大到43.4%,穩居龍頭。NAND Flash方面,三星今年第2季市占率達33.3%,排名第一。

今年以來,DRAM與NAND Flash報價跌跌不休,美光上季財報更陷入虧損,並預告本季面臨連兩季虧損壓力,南亞科也坦言,本季可能陷入虧損。記憶體業界原本預期,隨著主要製造商減產、調降資本支出,市場可望在明年中過後逐步回歸正軌,如今三星又砸錢擴產,使得產業復甦步調出現變數。

經濟日報/ 記者尹慧中李孟珊、編譯葉亭均/綜合報導

產業來源:經濟日報

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